半导体行业对清洗剂的要求极为严苛，需同时满足高纯度（避免离子/颗粒污染）、无腐蚀性、易漂洗及环保合规（低VOCs、可生物降解、符合国际环保标准）等特性。以下主要介绍应用在半导体清洗中的水基环保型清洗剂。

以去离子水为基质，搭配环保型表面活性剂、螯合剂等，无有机溶剂或仅含极少量助溶剂，符合RoHS、REACH等环保法规，适合精密清洗场景。

1. 中性水基清洗剂

成分：非离子型表面活性剂（如聚氧乙烯醚类）、螯合剂（如EDTA、柠檬酸）、去离子水。

特点：pH值接近7，对硅片、金属互连层（如Al、Cu）、光刻胶等材料无腐蚀。低泡易漂洗，可通过喷淋、兆声波或刷洗工艺去除颗粒（如SiO₂、金属氧化物）、有机物（如光刻胶残胶、指纹油）。

环保优势：不含磷、重金属，生物降解性高，废水处理成本低。

应用场景

光刻后清洗（去除光刻胶残留及显影液杂质）。

薄膜沉积（CVD/PVD）前清洗（去除颗粒和有机物，确保膜层附着力）。

晶圆键合、封装前的精密清洗。

2. 弱酸性清洗剂

成分：有机酸（如柠檬酸、苹果酸）、羟基乙酸等，替代传统强无机酸（如HF）。

特点

温和蚀刻：去除金属离子（如Fe、Cu）和轻微氧化物（如硅片表面天然氧化层），腐蚀性低于氢氟酸。

环保优势：可生物降解，挥发少，无刺激性气味。

应用场景

硅片抛光后清洗（去除磨料颗粒及金属污染物）。

铜互连工艺中的蚀刻后清洗（替代强酸性的硫酸/双氧水体系）。

3. 碱性水基清洗剂

成分：有机胺（如MEA、TEA）、氨基酸类表面活性剂，替代传统强碱性的NaOH。

特点

温和脱脂：去除光刻胶剥离后的有机物残留（如底部抗反射涂层 BARCs）、极性污染物。

环保优势：低 VOCs，可通过中和处理实现废水达标排放。

应用场景

光刻胶剥离后的残留物清洗（如干法刻蚀后的聚合物残留）。

硅片表面有机污染物（如油脂、蜡质）的去除。